第478章 真假1微米（1）（2 / 2）

“你们说的都对，又都不对。”

“怎么讲？”

“晶圆厂要上，但也要考虑现实情况，空喊口号是没有用的。我们毕竟没有积累。

但同时，我们的目标也要实现，钱不能白花！如果只是上2微米的晶圆厂，根本没有意义。”

“咦？你这是啥意思？两面的话都让你说全了！”

两位老乡同学，都觉得自己的耳朵出了问题。

“这次我准备，用2微米的半导体设备及工艺，来生产1微米的芯片！”

...

“这怎么可能？”

“我就知道你脑袋里肯定有东西。”

两个不同性格的人，在沉思片刻后，发出了完全不同的感叹。

“你不是在开玩笑吧。如果真有这种技术，为什么全球这么多企业每年投入这么金钱，去改进他们的工艺流程，提高生产设备的精度？908工程是在干什么？”

叶静生性比较保守，看事情更多的是看风险。

“这个技术是有的。这也是为什么这个工程被叫做一号工程的缘故。它的保密级别甚至高于液晶的odf工艺。”

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“好吧，你说吧。我们准备好了。”

这已经不是第一次了，成永兴召集两人商量一些高度机密性的科技信息。

经过mems，led，以及lcd的不断洗礼，两个人对晶圆工艺已经不陌生了。

在后世，人们一提起半导体设备，被津津乐道的，就是光刻机。大家普遍认为，光刻机是中国在半导体工艺上落后的唯一瓶颈。

这句话对，也不对。

对，是因为，中国在半导体工艺领域，被甩得最远的代表设备就是光刻机。

其他设备，例如蚀刻设备等，它们与国际先进水平，即使有些差距，差距也没有这么大，甚至某些设备，国产设备已经开始反攻国际市场。

光刻机决定半导体制程的情况，仅仅是出现在2005年之后。这就是地球人都知道的，asml的天王山之战。

asml在浸入式光刻机上，打了场翻身仗，一举把日本的几家竞争对手掀翻在地，从而奠定了在光刻机市场的垄断地位。

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但实际上，在2005年的前后，决定半导体芯片制程的几个核心技术，都不是光刻机。因为此时，光波的波长，还没有撞到极限（193nm）.

中国已经有了1.5微米的光刻机，但是其他辅助工艺，达不到这么高的精度。

几十年来，对光刻设备的要求主要基于摩尔定律，通过减小波长和增大数值孔径（na）来获得更高分辨率。

但是激光的可用波长就那么几个，激光波长减少几次，就无以为继了。

2004年开始，光刻机就开始使用193nm波长的duv激光，谁也没想到，光刻光源被卡在193nm无法进步长达十几年。

哪怕采用了沉浸式光刻机，也仅仅是使晶圆工艺成功突破了几个节点。

过了一段时间，半导体工艺的工艺演进路线，再次遇到了类似的问题。后世的14nm，10nm，7nm的技术突破。都不是通过升级光刻机来实现的。

在光刻机无法升级的情况下，为了突破这个障碍，人们开始寻找别的突围方向。

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随着科学家们的脑洞大开，一个行之有效的方法，真的被找到了！

更为可喜的是，这个方法思路非常简单，而且特别适合这个时代。

在完全在不改变设备技术水平的情况下，可以提高晶圆的制程！

之所以这个方法没有被广泛宣传，是因为所有的晶圆厂都在使用。大家都在用的技术，自然就失去了神秘性和趣味性。

灯下黑，指的就是这种情况。